半导体行业为什么要用到双向聚酰亚胺薄膜

      双向聚酰亚胺薄膜（BOPI）凭借耐热、高绝缘、尺寸超稳定、耐辐射、可柔性化等综合性能，成为半导体制造、封装、测试环节中不可替代的关键材料，尤其在制程、高密度封装、柔性芯片领域更是刚需。
一、超耐高温，适配半导体高温工艺
      半导体制造涉及扩散、光刻、蚀刻、离子注入、金属化、键合等多道高温工序，温度常达 200℃～400℃。
      BOPI 可在 -269℃～+260℃ 长期稳定工作，短期耐温可达 400℃以上。
      高温下不熔化、不变形、不放气、无有害物质析出，不污染晶圆与腔体。
      普通塑料薄膜（PET、PEN 等）在 150℃以上即软化失效，无法使用。
二、尺寸极度稳定，保证芯片精度
      半导体对尺寸精度、位置精度要求达到微米甚至纳米级，材料稍有变形即报废。
      双向拉伸使 BOPI 分子高度取向，热膨胀系数（CTE）较低，可与硅片、陶瓷、金属框架匹配。
      高温下热收缩率＜0.1%，反复冷热冲击不翘曲、不伸缩。
      确保光刻对位、引线键合、覆晶封装、微凸点工艺零偏差。
三、优良电气绝缘性能，保障器件可靠性
      半导体芯片电压低、电流密度较高，绝缘一旦失效即击穿烧毁。
      击穿场强高 200～300 kV/mm
      体积电阻率达 10¹⁶～10¹⁷ Ω·cm
      高温、高湿环境下仍保持稳定绝缘
适用于：
      晶圆保护层
      功率器件隔离层
      多层布线层间绝缘
      高压 IGBT、MOSFET 绝缘支撑
四、耐辐射、耐化学腐蚀，适配严苛制造环境
1.半导体产线存在：
      高能射线（γ 射线、电子束）
      强酸、强碱、有机溶剂
      等离子体刻蚀环境
2.BOPI：
      耐辐射性能优良，不老化、不断裂
      耐大部分有机溶剂、酸类
      等离子体环境下稳定性强
      可作为晶圆保护膜、光刻支撑膜、蚀刻遮蔽膜。
五、机械强度高，可超薄、可柔性
      半导体追求薄型化、轻量化、柔性化：
      BOPI 可做到 12.5μm～50μm 超薄厚度
      拉伸强度高、抗撕裂、耐弯折
      可卷曲、可折叠，支撑柔性芯片、柔性传感器、折叠屏驱动 IC
      是晶圆减薄、超薄封装、COF/FOF的核心基材。
六、适配封装技术（半导体核心需求）
      在 Bumping、WLP、Fan-out、2.5D/3D 封装、TSV 等封装中：
      用作芯片缓冲层、应力释放层
      减少硅片与基板热失配导致的翘曲、开裂
      提升倒装芯片（FC）、铜柱凸点可靠性
      作为重布线层（RDL）介质材料
      没有 BOPI，封装难以实现高密度、高可靠、薄型化。
七、低吸湿性、高洁净度，符合半导体洁净要求
      BOPI 吸水率较低，高温下不析水、不产生气泡
      高纯度、低金属离子析出，不污染晶圆
      满足半导体 Class 10～1000 洁净室使用标准